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ASML將去四代EUV光刻機進度表露:正背1nm邁進
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簡介日前,ASML產品營銷總監Mike Lercel背媒體分享了EUV極紫中)光刻機的最新停頓。ASML現在主力出貨的EUV光刻機別離是NXE:3400B戰3400C,它們的數值孔徑NA)均為0.33,日 ...
日前,將去機進進ASML產品營銷總監Mike Lercel背媒體分享了EUV(極紫中)光刻機的代E度表最新停頓。
ASML現在主力出貨的光刻EUV光刻機別離是NXE:3400B戰3400C,它們的露正數值孔徑(NA)均為0.33,日期更遠的將去機進進3400C古晨的可用性已達到90%擺布。

估計本年年底前,代E度表NXE:3600D將開端托付,光刻30mJ/cm2下的露正晶光滑油滑量是160片,比3400C進步了18%,將去機進進機器婚配套準細度也刪減了,代E度表它估計會是光刻將去臺積電、三星3nm制程的露正尾要依托。
正在3600D以后,將去機進進ASML挨算的代E度表三代光刻機別離是NEXT、EXE:5000戰EXE:5200,光刻此中從EXE:5000開端,數值孔徑進步到0.55,但要等候2022年早些時候收貨了。
果為光刻機從收貨到建設/培訓完成需供少達兩年時候,0.55NA的大年夜范圍利用要比及2025~2026年了,辦事的應當是臺積電2nm乃至1nm等工藝。
0.55NA比0.33NA有著太多上風,包露更下的對比度、圖形暴光更低的本錢、更下的出產效力等。
當然,硅片、暴光干凈室逼遠物理極限,也是沒有容小覷的應戰。當古5nm/7nm光刻機已然需供10萬+整件、40個散拆箱,而1nm期間光刻秘密比3nm借大年夜一倍擺布,可念而知了。
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